МТИ: «спинтронные» накопители будут многократно быстрее жестких дисков

Иллюстрация: Gedik Group/MIT

Они обладают необычным свойством: толща вещества является диэлектриком, а внешняя поверхность — отличным проводником.

Исследователи нашли способ измерять энергию, импульс и спин электронов в топологических изоляторах. Обычно это делается путем облучения вещества светом, который «выбивает» электроны из материала. Но таким образом можно получить данные только для одной точки поверхности. Ученые МТИ же решили облучать топологический изолятор короткими интенсивными импульсами лазера с круговой поляризацией. Это позволило получить подробную карту распределения энергии, импульса и спина электронов сразу по всей поверхности.

В результате выяснились две важных особенности: примеси, присутствующие в топологическом диэлектрике, практически не влияют на его общую проводимость; при помощи лазера с круговой поляризацией можно менять направление тока электронов на поверхности материала. Последнее свойство, по мнению ученых, можно использовать для создания накопителей нового типа, скорость работы у которых будет гораздо выше, чем у жестких дисков.