При участии GlobalFoundries, Samsung, SUNY Polytechnic Institute и других компаний в IBM разработали первые в мире чипы с элементами размером 7 нм.

Чип сделан на основе кремниево-германиевого сплава, обеспечивающего большую подвижность электронов на малых расстояниях. Методы литографии тоже потребовалось усовершенствовать. В IBM использовали литографию в дальней ультрафиолетовой области спектра. Гораздо меньшая длина волны позволяет наносить на схему элементы меньшего размера. Над этой технологией уже несколько лет работают и в Intel. Расстояние между транзисторами тоже удалось сократить всего до 30 нм, благодаря чему площадь поверхности микросхемы почти наполовину уменьшилась по сравнению с самыми лучшими из современных серийных образцов.

Микросхемы с масштабом элементов в 7 нм пока не готовы к массовому производству. В IBM рассчитывают довести их до коммерческого применения к 2017 году. Переход к 7 нм технологическому процессу позволит как минимум на 50% улучшить соотношение потребляемой мощности и производительности, полагают в компании. Более того, число транзисторов в процессоре можно будет довести до 20 млрд. В процессорах Intel Broadwell-U насчитывается лишь около 1,9 млрд транзисторов.