Обе компании намерены совместно участвовать в разработке и взаимно лицензировать технологии, связанные с созданием и производством 3D-памяти, а Toshiba будет платить SanDisk лицензионные отчисления.

Это сотрудничество в конечном итоге может привести к появлению нового вида технологии памяти, идущей на смену флэш-памяти типа NAND, основному продукту SanDisk, который используется для хранения информации в iPod, iPhone, цифровых камерах и иных миниатюрных устройствах.

Концепция 3D-памяти не нова. Эта технология была разработана несколько лет назад с целью снизить затраты и продлить срок хранения информации, по некоторым заявлениям, до 100 лет, что значительно дольше, чем это позволяют микросхемы флэш-памяти типа NAND.

Так, компания Matrix Semiconductor несколько лет назад представила архитектуру микросхем памяти, в которой массивы элементов памяти были сгруппированы не горизонтально, а вертикально, что, как утверждалось, обеспечивало значительное сокращение производственных затрат. Компания работала в сотрудничестве с Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC), однако они так и не получили широкого распространения.

В 2005 году SanDisk приобрела компанию Matrix. Одно важное отличие разработки совместного предприятия SanDisk/Toshiba от Matrix состоит в том, что микросхемы Matrix не были перезаписываемыми.

В свою очередь, SanDisk и Toshiba намерены создать перезаписываемые микросхемы 3D-памяти, которые можно было бы использовать многократно.

Несколько лет назад Toshiba разработала перезаписываемую 3D-микросхему флэш-памяти, получившую название BiCS (Bit Cost Memory), в котором массивы ячеек были организованы вертикально. Компания подготовила опытные экземпляры этих микросхем, но они также пока широко не используются.

SanDisk и Toshiba планируют объединить свою интеллектуальную собственность и инженерный опыт для дальнейшей разработки микросхем 3D-памяти и технологи их производства. Компании не сообщили ни об общем объеме инвестиций в СП, ни о том, какие предполагаются лицензионные сборы.

Не стоит рассчитывать на то, что микросхемы 3D-памяти в скором времени появятся на рынке. Глава исследовательской компании Forward Insights Джордж Вонг уверен, что пройдет три-четыре года, прежде чем компании разработают микросхему 3D-памяти, который сможет конкурировать с флэш-памятью типа NAND.

Вонг отметил, что одна из проблем, связанных с такой памятью, - это трудность организации ее массового производства.

Перезаписываемая микросхема 3D-памяти состоит из состыкованных вертикально массивов диодов, и сейчас, по его словам, только микросхемы с четырьмя уровнями состыкованных ячеек памяти выпускаются в массовом порядке с достаточно малой нормой проектирования - 80 нм. Matrix продемонстрировала восьмиуровневый стек в 2003 году, использовав для этого значительно более примитивный производственный процесс с нормой проектирования 250 нм.