Новая технология даст возможность производить микросхемы с размером элементов в 25 нм. Это большой шаг вперед, если вспомнить, что только в прошлом году компания Intel перешла с 65-нм технологического процесса на 45-нм процесс. 32-нм процессоры в Intel планируют выпустить в 2009 году. А 25 нм – это еще на одну ступень ниже.
"Задача заключается в создании еще меньших элементов, - пояснил научный сотрудник MIT Ральф Хейльманн. - Ядро интегральной микросхемы состоит из цепей и транзисторов – чем меньше они по размеру, тем быстрее они работают и тем большее число их можно разместить на одной схеме. Уменьшение позволяет одновременно сделать их и быстрее, и дешевле".
Институт запатентовал данный способ и, по словам Хейльманна, некоторые производители (он не уточнил, кто именно) уже проявляют к нему интерес.
Пошли другим путем
В технологии применяется наноуровневая литография, позволяющая нанести на микросхему еще более мелкую сеть линий, из которых складываются цепи схемы. В традиционном методе оптической литографии для переноса шаблона сетки на схему используется свет. Чтобы расположить линии сетки ближе друг к другу, производители микросхем пытались использовать более короткие длины волн. "Но у этого метода тоже есть свои пределы", - пояснил Хейльманн.
Исследователи из MIT пошли по другому пути. Вначале они с помощью длинноволнового света наносят на схему сетку с масштабом 200 нм. А затем тот же самый шаблон просто немного сдвигается, по нему наносятся новые линии, а пространство между ними делится пополам. Процесс повторяется несколько раз, и масштаб сетки доводится до 25 нм.
Такой способ позволяет в четыре раза повысить плотность расположения линий шаблона и разместить на схеме в четыре раза больше элементов – проводников, транзисторов и так далее.
Ускорение вместе с уменьшением
"Одновременное ускорение работы схемы и уменьшение ее размеров дает большой скачок производительности, - заявил главный аналитик фирмы Gabriel Consulting Group Дэн Олдс. - С точки зрения стоимости и результатов этот способ уменьшения масштабов схем за пределы 32 нм работает вроде бы неплохо... и это очень интересная разработка с далеко идущими последствиями. Главное, что их метод работает на переднем крае производительности – менее 45 нм,а не просто удешевляет производство устаревших микросхем".
По мнению Хейльманна, данный процесс можно адаптировать и к производству схем с масштабом менее 25 нм. "Такая возможность, безусловно, есть", - заявил он.
Работа над проектом велась в Лаборатории космических нанотехнологий Института астрофизики и исследований космоса им. Кавли Массачусетского технологического института. Финансовую поддержку работе оказали NASA и Национальный фонд науки (National Science Foundation).
.jpg)