В IM Flash Technologies, совместном предприятии, созданном Intel и Micron, разработана микросхема высокоскоростной флэш-памяти типа NAND с одноуровневыми ячейками (Single-Level Cell, SLC) емкостью 8 Гбит, которая может поддерживать скорость чтения до 200 Мбайт/с, а скорость записи – до 100 Мбайт/с.
"С ростом популярности цифровых видеокамер и сервисов 'видео по требованию' увеличивается спрос на высокоскоростную память типа NAND, которая позволяет передавать видео высокого разрешения в пять раз быстрее традиционной NAND", - пояснила представитель Micron Кристин Борднер.
Традиционная флэш-память типа NAND, выпускаемая компанией Micron и другими производителями, сейчас позволяет при чтении передавать данные со скоростью 40 Мбайт/с, а при записи – около 20 Мбайт/с.
Такое увеличение скорости в новых модулях было достигнуто за счет изменений в архитектуре NAND и усовершенствований в схеме чтения/записи.
Архитектура новой микросхемы позволяет поддерживать скорость, определенную в спецификации ONFI (Open NAND Flash Interface) 2.0. В 2006 году Micron стала одним из инициаторов создания группы ONFI Working Group; в работе группы также приняли участие компании Hynix Semiconductor, Intel, Phison Electronics, Sony и STMicroelectronics.
Сейчас Micron начала выпуск опытных партий компонентов высокоскоростной памяти типа NAND, а их массовое производство планируется начать во второй половине 2008 года.
Можно предполагать, что данная технология будет использоваться в новых видеоустройствах и фотоаппаратах, которые требуют флэш-памяти с высокой скоростью передачи и надежных средств хранения данных. Однако, как отметил Джозеф Ансворт, старший аналитик компании Gartner, такие решения будут стоить недешево, и приобрести их захотят только те, кто всерьез занимаются мультимедиа и кому требуется высокопроизводительная флэш-память.
Ансворт считает, что по мере стабилизации цен такая память найдет применение и в массовых устройствах, например в MP3-плеерах и цифровых камерах, но это может произойти не скоро.
Новая технология флэш-памяти, разработанная Micron и Intel, также станет конкурентом решений, предлагаемых Samsung и Toshiba - ведущими мировыми производителями модулей флэш-памяти, на долю которых в совокупности приходится 60% рынка флэш-памяти типа NAND. В прошлом году эти две компании подписали соглашение об обмене спецификациями для разработки более быстрых и надежных интерфейсов NAND.
Обеим группировкам необходимо объединиться, дабы упростить разработку технологии высокоскоростной флэш-памяти. Рынок поделен пополам, и необходимость в едином стандарте весьма актуальна.
Micron планирует использовать высокоскоростную флэш-память в своем семействе твердотельных дисков RealSSD, которое было анонсировано в ноябре прошлого года. Высокоскоростная технология памяти типа NAND позволит почти в четыре раза по сравнению с традиционными вращающимися жесткими дисками увеличить скорость новых гибридных жестких дисков, которые объединяют в себе вращающийся диск и флэш-память.
Планируется использовать высокоскоростную память типа NAND для того, чтобы увеличить скорость таких стандартов, как PCI Express и USB 3.0, которые еще разрабатываются. Компания также заявила, что в следующем году она будет разрабатывать версию своей технологии для памяти с многоуровневыми ячейками (Multi-Level Cell, MLC).
.png)