По словам Норио Сасаки, строительство нового завода начнется в июле текущего года

Это будет уже пятое предприятие Toshiba в городе Йоккаичи, расположенном в западной части Японии. Поначалу там планируется развернуть производство обычных чипов флэш-памяти NAND, а в дальнейшем компания намерена расширить ассортимент своей продукции новым типом трехмерной памяти, микросхемы и компоненты которой будут размещаться вертикально.

Флэш-память NAND является, пожалуй, наиболее популярным типом памяти на сегодняшний день. На базе соответствующих микросхем выпускаются устройства хранения с интерфейсом USB и карты памяти. Флэш-память интегрирована в цифровые фотоаппараты, сотовые телефоны и твердотельные накопители.

Производители электроники постоянно пытаются увеличивать емкость своих чипов за счет повышения плотности размещения их компонентов, однако инженеры полагают, что этот метод уже близок к своему пределу. По мере дальнейшего уменьшения размеров ячеек памяти усиливаются электрические помехи, приводящие к сбоям в работе микросхем.

Вот здесь-то на помощь и должна прийти трехмерная память. Располагая ячейки не только горизонтально, но и вертикально, инженеры получат возможность увеличивать емкость микросхем, не уменьшая самих ячеек памяти.

По словам президента и генерального директора компании Toshiba Норио Сасаки, строительство нового завода начнется в июле текущего года, а первые микросхемы памяти NAND планируется отгрузить клиентам следующей весной. Производство будет организовано по 20-нанометровой технологии примерно так же, как и у компаний Intel и Micron, анонсировавших аналогичные планы в начале этого года.

Впоследствии на новой фабрике Toshiba предполагается наладить выпуск и трехмерных чипов.

Компании Toshiba и SanDisk начали разрабатывать микросхемы трехмерной памяти в 2008 году, планируя в перспективе открыть новую фабрику. Начало ее строительства должно стать важным шагом на пути к выпуску чипов в будущем.

Дальнейшая экспансия должна помочь Toshiba добиться поставленной цели — увеличить в течение ближайших трех лет среднегодовые темпы роста своего полупроводникового бизнеса до 8%. Объем чистой выручки компании в предыдущем финансовом году составил 1,3 трлн иен (14 млрд долл.), а в ближайшие три года его предполагается довести до 1,65 трлн иен.

Для обеспечения роста в этой и других сферах бизнеса компания увеличит совокупные капитальные затраты на 74% по сравнению с прошлогодними вложениями. Дополнительные 10% планируется инвестировать также в научно-исследовательские и конструкторские разработки. Примерно половина общих капитальных затрат и треть расходов на научные исследования при этом будет приходиться на электронный бизнес Toshiba.