/IMAGE/1280730317_toshiba.jpg)
После выхода на полную мощность он будет выпускать примерно по 210 тыс. кремниевых основ ежемесячно.
Цены на микросхемы флэш-памяти NAND растут, однако в последнее время медленнее. Поскольку строительство заводов обходится дорого, производители флэш-памяти, такие как Samsung, Micron и Toshiba неохотно тратят деньги на новые фабрики, отмечают эксперты.
В Toshiba заявляют, что Fab 5 строится в расчете на то, что будет расти спрос на флэш-память для традиционных и новых применений, таких как смартфоны и твердотельные накопители (Solid State Drive, SSD). В компании надеются, что благодаря наращиванию производственной мощности Toshiba и SanDisk смогут оперативно реагировать на рост рынка и повысить свою конкурентоспособность.
Строить здание завода планируется в два этапа. Первую фазу предполагается завершить уже весной следующего года. После полного ввода в действие Fab 5 сможет сравниться по производственной мощности с другим заводом двух компаний — Fab 4. Площадь земли, занимаемая новой фабрикой, составит около 38 тыс. кв. м, а общая площадь помещений — 187 тыс. кв. м. Штат предприятия будет насчитывать примерно 4,3 тыс. сотрудников, в том числе 250 инженеров.
«Мы с нашим партнером SanDisk будем постепенно увеличивать производственную мощность в соответствии с рыночными условиями», — заявил старший корпоративный вице-президент Toshiba Киеши Кобаяши.
Производство на Fab 5 будет вестись по самому современному на данный момент технологическому процессу, используемому Toshiba, — 20 нм.
В Йоккаичи у Toshiba имеется еще четыре завода по выпуску флэш-памяти NAND. Сейчас корпорация совместно с SanDisk наращивает объем производства за счет размещения производственных линий на неиспользуемых площадях завода Fab 4, который планируется вывести на полную мощность ко времени ввода в эксплуатацию Fab 5.
.png)