В Everspin утверждают, что их компания сегодня единственная поставляет MRAM на коммерческой основе. Источник: Everspin
В Everspin утверждают, что их компания сегодня единственная поставляет MRAM на коммерческой основе. Источник: Everspin

Магниторезистивная оперативная память (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) — это новый вид энергонезависимой памяти, обещающий со временем заменить динамическую. Магнитная память постепенно появляется в различных изделиях, но аналитики полагают, что DRAM будет вытеснена еще не скоро.

Руководители компании Everspin объявили, что выпускаемая ею MRAM начинает применяться в изделиях, которым требуется надежная и быстрая энергонезависимая память, способная сохранять данные при сбоях питания.

Магниторезистивная память разрабатывается уже несколько десятков лет. В прошлом году компании Toshiba и Hynix пообещали разработать варианты MRAM, со временем способные заменить DRAM и флэш-память NAND. В отличие от динамической памяти, где биты хранятся в виде заряда конденсатора, в MRAM для хранения данных используются магнитные свойства вещества. Однако эксперты считают, что из-за слишком высокой стоимости и ограниченной плотности магнитной памяти в краткосрочной перспективе ей суждено оставаться на специализированных рынках.

MRAM-модули Everspin применяются в системах хранения и сетевом оборудовании компании Dell, которой требовалась быстрая и надежная энергонезависимая память, способная сохранять данные в случае отказа питания, — сообщает директор Everspin Фил Лопрести. Выпускаемая компанией память также используется в гоночных автомобилях BMW, компьютерах управления полетом лайнеров Airbus 320 и промышленных системах автоматизации Siemens.

«Уверенность в надежности MRAM растет, осталось построить рыночную экосистему для нашей продукции, над чем мы и работаем сейчас, — заявляет Лопрести. — Everspin на сегодня — единственная компания, поставляющая MRAM на коммерческой основе».

MRAM хорошо подходит для замены традиционной памяти в некоторых системах хранения и сетевых устройствах, для которых плотность памяти — не главное, — полагает главный аналитик IHS iSuppli Майк Говард. Например, MRAM применяется как альтернатива энергозависимым статической оперативной памяти в оборудовании Dell.

Сейчас MRAM поставляется в небольших объемах, а популярность наберет, вероятно, лишь после того, как развитие DRAM натолкнется на фундаментальный барьер, — считает аналитик. В развитие DRAM вкладывается масса средств, у которой перед MRAM есть еще и преимущество по цене.

MRAM — перспективная технология, так как пределы роста компактности у магнитной памяти больше, чем у DRAM и флэш-памяти NAND, — считает аналитик Objective Analysis Джим Хэнди. «DRAM и NAND имеют ограничения по масштабированию, поскольку с уменьшением геометрии чипа остается меньше места для электронов, — объясняет он.- MRAM же более сжимаема, так как не полагается электроны».

Существуют и другие виды памяти, например, память на фазовых состояниях (phase-change memory, PCM). Ее разрабатывают Samsung и Micron Technology с планами на вытеснение DRAM и NAND. Однако если магнитная память и потеснит DRAM, то это произойдет лишь к концу нынешнего десятилетия, считает Хэнди.

Признавая, что обычно проходит немало времени, прежде чем новый вид памяти завоевывает рынок, Everspin сохраняет ориентацию на крупных промышленных заказчиков. Компания также предлагает MRAM для применения в твердотельных накопителях, сообщает Лопрести: «Флэш-память NAND могла бы работать быстрее при наличии еще одного уровня кэша на основе MRAM».

В компании заявляют, что у нее более 300 заказчиков, и что за прошлый год она получила более 250 патентов на конструкторские разработки в области MRAM.