Появление все более компактной и эффективной флэш-памяти NAND позволяет производителям смартфонов уменьшать размеры своих устройств |
В мае Toshiba начинает выпускать новые микросхемы флэш-памяти объемом 64 Гбит. Их площадь составит 94 мм2, а скорость записи – 25 Мбайт/с. Новые чипы, имеющие норму проектирования 19 нм, являются самыми быстрыми и компактными в классе технологий, где каждая ячейка используется для кодирования двух бит данных.
Однако главный конкурент Toshiba, компания Samsung, по-прежнему находится на шаг впереди. В апреле южнокорейский гигант сообщил о начале массового производства микросхем NAND емкостью 128 Гбит. Каждая ячейка при этом кодирует три бита, а при изготовлении чипов используется производственный процесс с нормой проектирования меньше 20 нм.
Представители Toshiba объявили, что тоже работают над созданием технологии, позволяющей хранить три бита в ячейке, а массовое производство соответствующей элементной базы должно начаться в сентябре. На первых порах компания сосредоточится на выпуске памяти для смартфонов и планшетных компьютеров, после чего будет налажен выпуск чипов и для ноутбуков.
Появление еще более компактной и эффективной флэш-памяти NAND позволит производителям смартфонов уменьшить размеры своих устройств, добиться снижения их энергопотребления. Производители микросхем уменьшают размеры своих чипов в два раза, попутно уменьшая норму проектирования и обеспечивая хранения большего числа бит в каждой ячейке.
Обе компании конкурируют между собой на рынке флэш-памяти NAND, который продолжает расширяться по мере роста спроса на смартфоны и планшетные компьютеры. В прошлом году, по данным аналитической фирмы IHS iSuppli, на долю Toshiba приходился 31% от общего объема мировых продаж, а доля Samsung составляла 37%. Третье место с 14% занимала компания Micron.
Одновременно компания SanDisk, выпускающая микросхемы флэш-памяти совместно с Toshiba, сообщила о начале поставок опытных образцов новейших чипов, в которых будут реализованы ее собственные алгоритмы и архитектура программного обеспечения.