Компания Samsung поддержала стандарт высокоскоростной памяти SRAM QDR и присоединилась к группе фирм, которые его разрабатывают. Создание стандарта было начато в 1999 году компаниями Micron Technology, IDT и Cypress Semiconductor; в январе нынешнего года к ним присоединилась NEC.
Память типа QDR SRAM рассчитана в первую очередь на применение в высокоскоростных компьютерах и телекоммуникационном оборудовании. Скорость работы микросхемы увеличена за счет наличия двух портов, каждый из которых работает на удвоенной частоте, что позволяет за один такт выполнять по две операции считывания и записи. Поддержка со стороны Samsung играет важную роль не только ввиду высокой репутации ее торговой марки, но и потому, что эта компания является мировым лидером по выпуску микросхем SRAM; теперь производители смогут не опасаться дефицита. Опытные партии микросхем QDR SRAM первого поколения вышли чуть более года назад, а коммерческие поставки Micron начала в сентябре. В Samsung надеются выпустить микросхемы емкостью 18 Мбит для тестирования к четвертому кварталу, а массовое их производство начать в первом квартале 2002 года. Затем до конца первой половины того же года начнется сперва опытное, а затем массовое производство 36-мегабитных микросхем.
Служба новостей IDG, Токио