Компания Fujitsu собирается вложить около 100 млрд. иен (820 млн. долл.) в постройку опытной производственной линии и центра исследований в области полупроводников. Строения будут возведены в Токио, на территории технологического центра Fujitsu.
В исследовательском центре будет вестись разработка и опытное производство микросхем с минимальной толщиной линий 0,1 мк и менее; осуществлять массовое производство в центре не планируется. Современные технологии позволяют формировать на кристалле линии толщиной 0,13 мк. Следующим шагом, предположительно, станет 0,11- или 0,1-микронная технология, затем - 0,08-микронная. Fujitsu планирует выпустить в качестве эксперимента около 1000 восьмидюймовых пластин по 0,1-микронной технологии уже в третьем квартале нынешнего года. Компания NEC, конкурент Fujitsu, планирует начать опытное производства пластин по 0,1-микронной технологии на несколько месяцев раньше - в августе нынешнего года.
Служба новостей IDG, Токио