Представители IBM сообщили о разработке, которая позволит повысить производительность процессоров на 35%. Технология получила название Strained Silicon. Суть метода заключается в помещении под кремний слоя другого вещества с более разреженной
атомной структурой, что приводит к увеличению межатомных расстояний и в самом кремнии: он как бы "растягивается". У микросхем, изготовленных из такого материала, скорость прохождения электронов по элементам увеличивается на 70%, а кроме того, уменьшается энергопотребление. По словам представителей IBM, ее производственные мощности для реализации новой технологии кардинальным образом переоборудовать не придется. Однако использование метода в коммерческих продуктах вряд ли начнется ранее, чем через три-пять лет.
InfoWorld.com, США