Компания Samsung Electronics начала производство пробных партий памяти DDR SDRAM, производительность которых на 25% превосходит показатели распространенных сейчас микропроцессоров памяти. Эти устройства под названием DDR333 имеют пропускную способность
2,7 Гбайт/с, в то время как у кристаллов памяти DDR266 эта величина составляет лишь 2,1 Гбайт/с. В Samsung рассчитывают развернуть массовое производство новых устройств уже в этом году. Наибольший выигрыш по производительности будет ощущаться на тех приложениях, которые требуют обработки больших объемов данных, например видео или графики. Новая память предназначена для высокопроизводительных ПК, рабочих станций и серверов. Кроме того, он может найти применение в игровых консолях, цифровых телевизорах и приставках.
Служба новостей IDG, Токио