Плотность памяти удалось увеличить за счет размещения ячеек в нескольких слоях кремния. Пока инженерам Sharp удалось изготовить двухслойную микросхему, но в дальнейшем количество слоев планируется увеличить до восьми. Коммерческое применение технологии планируется начать к 2006 году. Со временем, как считают в Sharp, технология позволит использовать флэш-память вместо жестких дисков.

Служба новостей IDG, Токио