Экспериментальные транзисторы в IBM уже изготовлены; использование элементов в составе процессоров планируется начать к 2006 году. В обычных транзисторах затвор находится поверх стока и истока на равных расстояниях от них. Те, в свою очередь, располагаются на слое кремния или (в транзисторах IBM) на слое "кремний на изоляторе" (SOI). В двухзатворных транзисторах IBM затвор огибает канал "сток-исток" наподобие скобы. При этом вся структура размещается параллельно слою SOI, соприкасаясь с ним. IBM будет использовать двухзатворные транзисторы в собственных процессорах и лицензировать технологию своим традиционным клиентам. Представители Intel, в свою очередь, анонсировали разрабатываемый в компании терагерцевый процессор, пока не существующий даже в виде опытного образца. Интересно, что процессор основан на варианте технологии SOI, достоинства которой в Intel несколько лет подряд признавать отказывались.