В компании Motorola созданы прототипы микросхем магнитной оперативной памяти (MRAM) емкостью 256 Кбит и 1 Мбит. Пробные партии микросхем планируется выпустить уже в будущем году, а начать массовое производство - в 2004 году.
Магнитная память является энергонезависимой: при отключении питания информация в ней сохраняется, но по сравнению с обладающей тем же свойством флэш-памятью MRAM дешевле в производстве. Как предполагается, вначале MRAM будет применяться вместо флэш-памяти в сотовых телефонах и других устройствах, а впоследствии - и в качестве оперативной памяти компьютеров. Технология MRAM разрабатывается компаниями IBM, Intel и TSMC.
Служба новостей IDG, Тайбэй