Микросхемы, выпускаемые по новой технологии, стали миниатюрнее, что повышает скорость считывания информации, и дешевле в производстве. Проектировщики также приняли меры по повышению скорости перезаписи. Samsung, в настоящее время ведущая разработку микросхем емкостью 2 Гбит, стала первой, кто начал производство гигабитной флэш-памяти по 0,12-микронной технологии. В корпорации Toshiba такие микросхемы выпускают в соответствии с нормой проектирования 0,13 микрон. В корпорации Sharp обещают к 2006 году выпустить микросхемы емкостью 16 Гбит, изготовленные по 0,1-микронной технологии.

Служба новостей IDG, Амстердам