Физики Университета Висконсин-Мэдисон (США) и Базельского Университета (Швейцария) совместно провели исследование, посвященное возможности разработки памяти, в которой каждому биту информации соответствует всего один атом. Экспериментальное устройство изготовлено методом напыления тончайшего
слоя золота на кремниевую подложку, в результате чего на ее поверхности образуются "дорожки" шириной ровно в пять атомов кремния. Размер каждой ячейки - 4х5 атомов; состоянию "1" соответствует наличие всех 20 атомов, в состояние "0" ячейка приводится путём изъятия одного атома (наличие остальных 19 предотвращает взаимодействие с соседними ячейками). Устройство имеет поистине гигантскую плотность записи: 250 Тбит/дюйм
2. В ходе экспериментов запись и считывание (изъятие и помещение атомов) производилось при помощи сканирующего туннельного микроскопа. По оценкам ученых, создание атомной памяти на основе разработки станет возможным лишь через несколько десятков лет; для этого предстоит преодолеть ее недостатки: изготовление и работа устройства возможны лишь в вакууме, скорость чтения/записи чрезвычайно низка. Есть и преимущества: память сохраняет стабильность при комнатной температуре, а ее структура весьма напоминает магнитную поверхность пластин в жестких дисках, что делает вероятным создание "атомных" накопителей с аналогичной механикой. Учеными сделан вывод о том, что с приближением плотности записи к достигнутому в эксперименте скорость считывания придется уменьшать, предсказано наличие некоторого оптимального соотношения плотности и скорости.