В настоящее время наиболее совершенный процесс, поддерживаемый TSMC, - 90 нм. Свою первую 65-нанометровую микросхему, чип синхронной оперативной памяти, содержащий около 100 млн. транзисторов, TSMC изготовила в апреле прошлого года; затем по новой технологии были выпущены прототипы для нескольких заказчиков компании. Еще до 65-нанометровой в TSMC планируют внедрить промежуточную технологию 80 нм, - по словам представителей компании, ее использование облегчит заказчикам процесс перехода в финансовом отношении, позволив увеличить производительность микросхем при незначительном изменении их спецификаций.

Служба новостей IDG, Тайбэй