по новой технологии, по сравнению с нынешними будут более компактными, более быстродействующими и менее дорогостоящими. Новый процесс позволит Samsung изготавливать из каждой кремниевой основы на 50-60% больше микросхем, чем допускает норма проектирования 90 нм. Как сообщают в Samsung, к концу года примерно треть всего ее производства флэш-памяти НЕ-И будет переведена на 70-нанометровую технологию. Расширить производство в нынешнем году планируют как в Samsung, которой по данным IDC сейчас принадлежит 60% мирового рынка флэш-памяти НЕ-И, так и в Toshiba, занимающей второе место. Если в настоящее время спрос и предложение памяти данного типа сбалансированы, то к концу года аналитики предсказывают возникновение переизбытка поставок, в результате чего стоимость 2-гигабитных микросхем к декабрю может снизиться вдвое, до 7 долл. за штуку.

Служба новостей IDG, Токио