, изготовленные по технологии 45 нм, каждая из которых содержит свыше 1 млрд. транзисторов, и имеет все элементы многоядерного процессора (отключенные, не считая модуля SRAM). На сегодня самой совершенной из применяемых в Intel технологий производства микросхем является 65-нанометровая. Как заявляют в корпорации, переход на 45 нм позволит ей сохранить традиционный график совершенствования, в соответствии с которым смена поколений производственных процессов происходит каждые два года. Первоначально технология 45 нм внедряется на заводе Intel D1D в Орегоне, впоследствии будут построены еще два: Fab 32 в Аризоне и Fab 28 в Израиле.

Служба новостей IDG, Сан-Франциско