Корпорация Intel планирует вложить от 1 до 1,5 млрд. долл. в модернизацию своих производственных мощностей в Рио-Ранчо (США). После переоборудования фабрика Fab 11X будет выпускать микросхемы по 45-нанометровой производственной технологии Intel следующего поколения.
В соответствии с существующим графиком перехода на передовой 45-нанометровый техпроцесс фабрика Fab 11X станет четвертой производственной площадкой Intel, на которой микросхемы будут выпускаться по новейшей технологии. Кроме Fab 11X уже в этом году 45-нм микросхемы Intel начнут производиться на опытно-экспериментальной фабрике D1D в Орегоне и фабрике Fab 32 в Чэндлере (США), которая обошлась корпорации в 3 млрд. долл., а в следующем - на фабрике Fab 28 в Кирьят-Гате (Израиль), в которую вложено 3,5 млрд. долл.