В основе PRAM - халькогенидное стекло, изменяемое с помощью тепла, генерируемого электрическим током. Тепло меняет физическую структуру стекла на кристаллическое или аморфное состояние. Они имеют разное электрическое сопротивление и могут представлять нули и единицы. Как ожидается, PRAM будет иметь более высокую скорость чтения-записи и долговечность, чем флэш-память, работающая по принципу захвата электронов и поддерживающая ограниченное число циклов чтения-записи. Разработчики Intel и исследователи других компания рассчитывают, что PRAM сможет заменить флэш-память NOR и NAND, а массовое производство позволит снизить цены.