Большинство существующих продуктов выпускается на основе планарных транзисторов — эффективных и недорогих элементов, которые были изобретены еще в 1959 году. Но многие производители микросхем, оценивая возможности дальнейшего уменьшения нормы проектирования, начинают приглядываться и к транзисторам с альтернативной архитектурой. TSMC, похоже, делает ставку на трехмерные транзисторы FinFET, которые имеют форму рыбьего плавника и по размеру меньше, чем традиционные планарные транзисторы.

На конференции International Electron Devices Meeting, которая пройдет с 6 по 8 декабря в Сан-Франциско под эгидой IEEE, компания продемонстрирует технологию производства высокоскоростных микросхем с нормой проектирования 20 и 22 нм на основе транзисторов FinFET.

В последние годы производители неуклонно уменьшали размеры транзисторов, стремясь удовлетворить потребности клиентов в еще более компактных и многофункциональных устройствах, к которым относятся в первую очередь смартфоны, оборудованные встроенными камерами, сенсорными экранами и поддерживающие другие передовые технологии.

Для изготовления подобных устройств разработчики микросхем регулярно увеличивали плотность размещения элементов на микросхеме и одновременно повышали их вычислительную мощность. Выпускаемую продукцию нужно было поставлять по разумным ценам, для чего производителям (в том числе и TSMC) приходилось внедрять у себя самые современные производственные процессы и инструменты проектирования.

Транзисторы FinFET относятся к типу, на который производители полупроводниковых компонентов намерены сделать ставку в будущем. Пока TSMC не планирует использовать транзисторы FinFET при организации производства по технологии 20 нм. В своей традиционной производственной программе гигант электронной промышленности по-прежнему отдает предпочтение относительно
громоздким планарным КМОП-транзисторам.

Другие компании тоже намереваются использовать транзисторы FinFET. В июне на конференции Symposia on VLSI Technology and Circuits 2010 группа исследователей из компаний IBM, GlobalFoundries, NEC и Toshiba продемонстрировала ячейку памяти SRAM на основе транзисторов FinFET и представила производственную технологию с нормой проектирования 22 нм. Новейшие транзисторы FinFET в TSMC также намерены использовать в ячейках памяти SRAM.