3D V-NAND

Объединив 512 микросхем памяти Samsung V-NAND емкостью 256 Гбит каждая, разработчики твердотельного накопителя сумели добиться беспрецедентных для одного устройства показателей.

Твердотельный накопитель на новых многослойных микросхемах флеш-памяти, выполненных по технологии V-NAND, обладает рекордной емкостью 16 Тбайт.

Кроме увеличения объема, новые чипы с 48 слоями потребляют на 30% меньше энергии по сравнению с микросхемами с 32 слоями, а производительность их на 40% больше, утверждают в компании.

Компания Samsung повысила планку емкости своих твердотельных накопителей, доведя ее до 3,2 Тбайт. Рекордный объем имеет модель SM1715, отличающаяся повышенной надежностью и устойчивостью к сбоям.