MRAM

CEATEC: TDK показала прототип магниторезистивной памяти с переносом спинового момента

Память STT-MRAM способна записывать и считывать данные с той же скоростью, что и современные микросхемы SRAM и DRAM, но, в отличие от них, является энергонезависимой и может сохранять записанные данные в течение многих лет, как флеш-память.

Технологии хранения для Больших Данных

Для эпохи Больших Данных требуются одновременно емкие и быстрые системы хранения, однако сегодня нет предпочтительной технологии, отвечающей сразу двум этим требованиям, — необходима память, построенная на новых физических принципах.

Мы используем cookie, чтобы сделать наш сайт удобнее для вас. Оставаясь на сайте, вы даете свое согласие на использование cookie. Подробнее см. Политику обработки персональных данных