Научные сотрудники Университета Южной Калифорнии объявили о разработке энергонезависимой памяти нового типа, основанной на использовании ферроэлектрического туннельного перехода. По словам исследователей, их ячейка памяти представляет собой особую асимметричную конструкцию из металла и графена. Память такого типа можно будет интегрировать с кремниевой электроникой, а со временем уменьшить ее до субатомных масштабов, что позволит радикально снизить напряжение питания, необходимое для считывания, записи и удаления данных.

Исследователи надеются, что их разработка со временем заменит не только флеш-память, но и динамическую оперативную память. По их словам, одна ячейка может хранить сразу несколько бит данных, при этом устройство отличается надежностью и долговечностью. Память нового типа обещает не только ускорить загрузку данных, но также увеличить время работы смартфонов от батареи и уменьшить вероятность порчи информации.