Материалы толщиной в несколько атомов, первым из которых был созданный в 2004 году графен, уже пытались использовать в микросхемах, но эта задача оказалась довольно сложной из-за хрупкости таких материалов и наличия в них локальных дефектов. В Научно-технологическом университете имени короля Абдаллы (Саудовская Аравия) использовали новый способ нанесения двумерного материала на микросхему.

Исследователи изготовили микросхему со стандартными КМОП-элементами на одной стороне и провели соединения сквозь плату на другую сторону, на которую можно было надежно нанести двумерный материал (гексагональный нитрид бора на медной подложке) в виде небольших площадок размером менее 0,25 микрометра. Толщина этого материала составляет всего 18 атомов и он отлично подходит для использования в качестве мемристора — элемента, изменяющего сопротивление в зависимости от протекшего через него заряда. Элементы были размещены в виде сетки размером 5 на 5 элементов — один мемристор на один транзистор, управляющий током, протекающим через мемристор.