Группа исследователей из Иллинойского университета, Национальной лаборатории энергетических технологий и Окриджской национальной лаборатории министерства энергетики США, а также компании TSMC разработали процесс создания сверхтонких слоев аморфного углерода из углеродных точек, которые, в свою очередь, получаются из каменного угля. Новый процесс позволяет создавать слои такой же площади, как и обычные кремниевые пластины для изготовления микросхем.

Исследователи показали, как с помощью нового процесса можно создать двухмерные транзисторы и мемристоры. В транзисторах углеродный слой служит изолирующим слоем затвора между полуметаллическим графеном или дисульфидом молибдена и металлическим электродом. В мемристорах — устройствах, одновременно хранящих данные и производящих операции над ними — углеродный слой располагается между серебряным и платиновым электродами. Между электродами в ходе электрохимический реакций формируется проводящая нить. Углеродный слой способствует быстрому формированию нити.