Мемристоры — это электрические элементы, изменяющие свое сопротивление в зависимости от протекающего через них заряда. Это свойство мемристоров используется для хранения информации. После подачи сигнала на мемристор его сопротивление падает, а со временем снова возрастает. Это время называется временем релаксации мемристора. Похожие процессы происходят в биологических нейронах. Нейроны обладают разным временем релаксации, и это помогает мозгу понимать последовательность событий.

Исследователям из Мичиганского университета удалось впервые создать мемристор с регулируемым временем релаксации. Для этого они использовали материал на основе сверхпроводника YBCO, состоящего из иттрия, бария, углерода и кислорода. Его кристаллическая структура определяет расположение оксидов магния, кобальта, никеля, меди и цинка в материале мемристора. Изменяя содержание этих оксидов, можно менять время релаксации в диапазоне от 159 до 278 наносекунд. Изготовление подобных мемристоров пока требует больших затрат энергии, хотя исследователи надеются, что при массовом производстве процесс удастся сделать проще.