В Samsung Electronics сообщили о планах массового производства в следующем году новейших чипов высокопроизводительной памяти для удовлетворения растущего спроса на развертывание ИИ-решений.

В связи с прогнозируемым увеличением спроса на память HBM4 в Samsung будут расширены мощности для производства необходимой для ее выпуска памяти на базе 10-нм техпроцесса класса 1c — 1c DRAM. В компании намерены также нарастить поставки других продуктов с высокой добавленной стоимостью, таких как память DDR5 и LPDDR5x, а также твердотельные накопители QLC (Quad-Level Cell) высокой плотности. В четвертом квартале в Samsung продолжат уделять приоритетное внимание поставкам используемых в серверах чипам памяти HBM3E и высокоплотным корпоративным SSD на фоне крупных заказов ЦОДов как для ИИ, так и для других типов задач.

Увеличение производства памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и DRAM поможет решить проблему нехватки компонентов, которая замедляет развитие сетей и ЦОДов, а также позволит избежать задержек в обновлении инфраструктуры в гипермасштабируемых и корпоративных средах. Это также может повысить предсказуемость циклов закупки оборудования и снизить затраты на системы с высокой пропускной способностью, полагают аналитики.

В Samsung подтвердили, что чипы HBM3E последнего поколения теперь поставляются «всем заинтересованным клиентам». С массовым производством HBM4 в следующем году в Samsung смогут помочь в различных сегментах корпоративной инфраструктуры — от облачных провайдеров с новыми ИИ-кластерами до операторов дата-центров, которые стремятся увеличить их производительность. В подразделение Foundry компании Samsung планируют в 2026 году ввести в действие новый завод с техпроцессом на 2 нм в Техасе (США), который начнет поставки базовых пластин (base-dies) для HBM4.

Тем не менее, аналитики считают, что, несмотря на расширение производственных мощностей Samsung, глобальное предложение передовых микросхем памяти, вероятно, не сможет соответствовать спросу на ИИ. Дисбаланс производства HBM в общем объеме выпуска DRAM может сохраняться и в 2026 году. В Gartner не ожидают появления избытка предложений памяти DRAM и NAND в следующем году, так как на HBM уходит более четверти производственных мощностей для выпуска пластин DRAM. Хотя наращивание производства Samsung поможет улучшить ситуацию, его будет недостаточно для удовлетворения ожидаемого спроса.

По мнению экспертов Fab Economics, последствия расширения производства Samsung в первую очередь проявятся в ЦОДах с ИИ, а затем и в сетевой инфраструктуре ИИ, где ограничивающим фактором теперь является пропускная способность памяти, а не производительность вычислений.