Компанией был создан прототип, изготовленный по 50-нанометровому техпроцессу и обладающей одной из самых высоких на сегодняшний день плотностью ячеек, благодаря чему объем данных составляет 64 Мбит.

ReRAM является следующим поколением полупроводниковой памяти, в которой используется материал, изменяющий сопротивление в ответ на изменение электрического напряжения. За счет этого новый тип энергонезависимой памяти, в отличие от использующейся сейчас DRAM может хранить данные даже тогда, когда питание выключено, а также читать и записывать данные на высоких скоростях, но при низком напряжении.

ReRAM, как утверждают разработчики, содержит в себе преимущества как DRAM, так и флеш-памяти NAND. Она имеет скорость записи 10 наносекунд, примерно столько же, как DRAM, и выдерживает более миллиона циклов перезаписи – то есть более чем в 10 раз больше, чем память NAND.

В планах Elpida Memory продолжить разработку ReRAM и уже в следующем году запустить в серийное производство память, изготовленную по 30-нанометровой технологии и емкостью не менее 1 Гбит.