Исследователи из Иллинойского университета в Урбане-Шампейне создали диод Шоттки из искусственного алмаза с напряжением пробоя 4,6 кВ и самым низким током утечки из известных электронных устройств на основе алмаза. Теоретически, такое устройство может выдержать напряжение до 9 кВ, но на таком напряжении исследователи их пока не испытывали. Дальнейшее совершенствование процесса изготовления может позволить приблизить характеристики устройства к теоретическому пределу для алмаза, полагают исследователи.

Алмаз относится к сверхширокозонным полупроводникам и обладает чрезвычайно высокой теплопроводностью. Поэтому алмазные полупроводниковые устройства могут работать при гораздо более высоких напряжениях и токах и рассеивают тепло, не снижая электрические характеристики по сравнению с традиционным полупроводниковым материалом — кремнием. Устройства делаются из искусственных алмазов методом осаждения в СВЧ-плазме, и стоимость их сравнительно невелика.