В Intel объявили о сотрудничестве с японской компанией Saimemory в области разработки памяти Z-Angle Memory (ZAM), целью которого является создание технологии памяти следующего поколения, соответствующей растущим требованиям ИИ и высокопроизводительных вычислений.

В Saimemory, дочерней компании SoftBank, разрабатывают многослойную архитектуру памяти DRAM, которая должна значительно увеличить ее объем, снизить энергопотребление и упростить корпусирование чипов. Технологический стек Saimemory основан на фундаментальных разработках, поддержанных программой НИОКР Министерства энергетики и Национального управлением по ядерной безопасности США. В рамках заключенного соглашения Intel выступит в качестве партнера по технологиям, инновациям и стандартизации, а Saimemory предоставит технологии и займется коммерциализацией ZAM. Начало работы запланировано на первый квартал 2026 года, выпуск прототипов — на 2027 год, продажи — на 2030 год.

Название ZAM связано с используемым в полупроводниковой отрасли понятием высоты (Z height), характеризующей толщину многослойных структур. Также в памяти ZAM вместо прямых вертикальных соединений, как в высокопроизводительной памяти HBM, применяются наклонные «Z-образные» межсоединения, увеличивающие плотность и емкость при меньших энергозатратах. Ранее в Intel уже подтвердили эффективность концепции многослойной памяти и предложили технологию вертикальной компоновки для сборки чипов памяти — Next Generation DRAM Bonding (NGDB), которую будут использовать в ZAM.

Компания Intel была основана в 1968 году как производитель микросхем памяти и покинула рынок DRAM в 1985-м из-за высокой конкуренции с японскими производителями. Теперь память ZAM, которая создается вместе с японской же компанией, способна существенно повлиять на рынок DRAM, создать реальную альтернативу доминирующей технологии HBM и вернуть Intel в этот сегмент рынка, полагают эксперты. Согласно опубликованным данным, ZAM при сопоставимой или лучшей пропускной способности будет иметь емкость в 2–3 раза больше (до 512 Гбайт на чип), энергопотребление на 40–50% ниже и стоимость производства до 60% меньше.

В настоящее время, когда продолжающийся дефицит оперативной памяти DRAM и флэш-памяти/SSD не ослабевает, производители ожидают его сохранение на обоих рынках в течение месяцев, а то и лет. В начале декабря в Micron заявили о прекращении прямых продаж DRAM потребителям, а в Kingston предупредили о росте цен в ближайшее время. На недавней конференции Cisco AI Summit 2026 Лип-Бу Тан, генеральный директор Intel, спрогнозировал дефицит DRAM и NAND минимум до 2028 года из-за бума ИИ.