Модернизированная производственная инфраструктура позволяет «НИИМЭ и Микрон» начать серийный выпуск чипов с топологическими нормами 90 нм
Модернизированная производственная инфраструктура позволяет «НИИМЭ и Микрон» начать серийный выпуск чипов с топологическими нормами 90 нм

Расположенная в Зеленограде компания «НИИМЭ и Микрон», головное предприятие бизнес-направления «Ситроникс Микроэлектроника», с 2006 года осуществляет модернизацию производства, в рамках которого в содружестве с компанией STMicroelectronics освоена технология 180 нм EEPROM. В 2009 году в партнерстве с госкорпорацией «Роснано» начались работы по производству чипов с топологическими нормами 90 нм. Технологическим партнером стала та же STMicroelectronics, соглашения с которой предусматривали в том числе лицензирование изготовления и продажи 90-нанометровых полупроводниковых компонентов и предоставление доступа к методикам и технологиям проектирования подобных изделий.

«Следует различать топологические нормы и технологии построения электронных схем, которых насчитывается сегодня несколько десятков, — подчеркнул Красников. — К примеру, микросхемы на базе технологии 'кремний на изоляторе', весьма востребованные в космических приложениях, выпускаются с минимальным технологическим размером 130 нм. Чипов EEPROM с нормой менее 90 нм в мире нигде нет. В Intel при изготовлении КМОП-микросхем с очень высоким быстродействием ориентируются на 32 и 22 нм, а в STMicroelectronics, где выпускаются КМОП-микросхемы с низким энергопотреблением, совсем другие требования к топологическим нормам".

«Сегодня мировой пик продаж микросхем — в области 90 нм, — добавил Красников. — Возможно, скоро он сместится к 65 нм».

Основными потребителями 90-нанометровой продукции «НИИМЭ и Микрон», как ожидает Красников, станут более двух десятков проектных центров, разрабатывающих интегральные схемы, а заказы на их изготовление сейчас размещают за рубежом. С этими организациями заключены соглашения, и около года назад они получили правила проектирования, обеспечивающие возможность разрабатывать схемы на базе технологий «НИИМЭ и Микрон».

Также компания ориентируется на массовый рынок, на котором пользуются спросом чипы для электронных паспортов, универсальных электронных карт и SIM-карт с электронной подписью.

SIM-карты с электронной подписью в «Ростелекоме» намерены применять для аутентификации граждан при использовании ими мобильных сервисов доступа к порталу госуслуг. Поанализировав рынок, в «НИИМЭ и Микрон» в инициативном порядке разработали для таких карт микросхему с интегрированной электронной подписью с топологической нормой 90 нм. Ее стоимость, по данным компании, не превышает цену используемых в настоящее время 180-нанометровых чипов. «Уменьшение топологических размеров предоставляет возможность наращивать функциональность и быстродействие, снизив в то же время энергопотребление для реализации каждой функции», — подчеркнул Красников, отметив, что SIM-карты с электронной подписью, кодами мобильной идентификации, технологией связи ближнего радиуса действия (Near Field Communication, NFC) становятся стандартными атрибутами мобильных телефонов.

Что касается универсальных электронных карт для предоставления гражданам государственных и муниципальных услуг (см. «Карты в руки», «Сети», № 03, 2011), то для этих карт выпущено несколько сотен тысяч 180-нанометровых чипов. Около10 тыс. уже переданы компании «Универсальная электронная карта» на сертификацию и отправку в регионы для тестирования систем.

Красников сообщил также, что на недавнем совещании в Роскосмосе принято решение взять за основу отечественных микросхем, стойких к различным внешним воздействиям, технологии «НИИМЭ и Микрон».

На исследования и разработку перспективных технологий производства полупроводников «НИИМЭ и Микрон» выделяет инвестиции АФК «Система». Госкорпорация «Роснано» принимает участие в поддержке выпуска 90-нанометровых микросхем, обсуждается ее участие в переходе на топологические нормы 65 и 45 нм. При этом, считает Красников, развитие производства должно осуществляться на базе альянсов господдержки, инвестиционных фондов и частного капитала.